Специалисты Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН разрабатывают новую технологию, которая позволит создавать важный компонент, необходимый для силовой и носимой электроники, например, СВЧ-печей или в системах связи 5G и 6G.
Речь идет о нитриде галлия, который ученые пытаются «вырастить» на кремниевых подложках. Им уже удалось провести несколько удачных экспериментов в этом направлении, поэтому теперь российские ученые принялись за разработку основного тела кристаллов.
Как говорится в материале, опубликованном в РИА Новости, сложность выращивания кристаллов нитрида галлия состоят в том, что у них отличаются параметры решеток и коэффициенты температурного расширения.
Однако российским ученым удалось справиться с этими трудностями. Сначала они добились результатов на стадии зарождения слоев, после чего перешли к созданию буферных слоев.