Окружной суд Техаса рассмотрел иск против компании Samsung Electronics.
Суд признал компанию виновной в незаконном использовании передовой разработки, принадлежащей патентному бюро Корейского института передовых технологий (KAIST IP US) из пригорода Далласа, передает Bloomberg.
За нарушение патента на технологию FinFet — транзистор, который позволяет значительно повысить производительность микрочипа, снизив его энергопотребление — южнокорейскому производителю придется заплатить штраф в размере 400 млн долларов.
Изначально Samsung скептически отнеслась к изобретению, но после того, как на него обратил внимание конкурент компании на рынке полупроводников — Intel, Samsung тоже приступила к разработке данной технологии, нарушив тем самым соглашение, заключенное между Intel и KAIST.
Южнокорейская компания настаивает, что работала над FinFet совместно с Корейским институтом.
Фото: Habrahabr