Российские специалисты вошли в число авторов международной разработки нового перспективного семейства веществ.
Речь идет о двумерном оксиде меди, который может применяться в микроэлектронике для разработки действенной «магнитной памяти».
В создании веществ приняли участие специалисты московского Технологического института сверхтвердых и новых углеродных материалов, московского Института биохимической физики, Национального исследовательского технологического университета, а также ученые из японского института NIMS.
В ходе эксперимента ученые получили однослойную атомную кристаллическую решетку на основе графена. Новая решетка состояла из одного слоя частиц, однако была крайне неустойчивой. Данную проблему эксперты решили, дополнив ее состав кислородом и медью.
Отмечается, что работа по созданию новых двумерных материалов, состоящих из слоя толщиной в один атом, велась по всему миру, начиная с 2004 году, когда был получен первый графен.
Фото: из открытых источников