Специалисты Института физики полупроводников СО РАН предложили технологию флеш-памяти, устойчивой к космической радиации. Разработку можно будет использовать в орбитальных дата-центрах и кораблях с ядерными двигателями.
Российские учёные из Института физики полупроводников имени Ржанова СО РАН разработали технологию долговременной флеш-памяти, которая не боится ионизирующего излучения. В её основе — диэлектрические плёнки с дефектами-«ловушками», удерживающими электроны. Такой заряд способен хранить информацию сотни лет, сообщают "Известия".
Для повышения надёжности исследователи предложили использовать оксиды алюминия или циркония. Эти материалы увеличивают срок хранения данных и снижают энергопотребление при перезаписи. Устройства пригодятся для орбитальных дата-центров, космических кораблей с ядерными двигателями и атомных станций на других планетах.
Эксперты отмечают: у России есть сильные достижения в радиационно стойкой электронике и новых материалах. Однако для серийного выпуска чипов нужны инвестиции в фабрики, литографическое оборудование, сверхчистые материалы и подготовку кадров. Без долговременной господдержки отрасли массовое производство остаётся под вопросом.
В Ростовской области создали чип для выявления раковых клеток в крови. Ранее сообщалось о том, что ученые РАН создали сорбенты для извлечения редкоземельных элементов.