Ученые из Samsung Advanced Institute of Technology рассказали о новом материале – аморфном нитриде бора.
По словам исследователей, благодаря изобретению ускорится создание мощных полупроводниковых изделий.
В SAIT исследуют и разрабатывают кристаллические материалы с одним слоем атомов, включая графен. В аморфный нитрид бора входят атомы азота и бора. Аморфная молекулярная структура a-BN является уникальной.
У материала лучшая в своем классе сверхнизкая диэлектрическая проницаемость – 1,78. Свойства аморфного нитрида бора позволяют свести к минимуму электрические помехи. Разработка будет применяться в полупроводниковой продукции для типов памяти DRAM и NAND.
Фото: из открытых источников