В Samsung разработали материал для создания новой карты памяти

Ученые из Samsung Advanced Institute of Technology рассказали о новом материале – аморфном нитриде бора.

В Samsung разработали материал для создания новой карты памяти

По словам исследователей, благодаря изобретению ускорится создание мощных полупроводниковых изделий.

В SAIT исследуют и разрабатывают кристаллические материалы с одним слоем атомов, включая графен. В аморфный нитрид бора входят атомы азота и бора. Аморфная молекулярная структура a-BN является уникальной.

У материала лучшая в своем классе сверхнизкая диэлектрическая проницаемость – 1,78. Свойства аморфного нитрида бора позволяют свести к минимуму электрические помехи. Разработка будет применяться в полупроводниковой продукции для типов памяти DRAM и NAND.

 

Фото: из открытых источников

Подписывайтесь на наш Дзен-канал! Только персональные подборки новостей в новом digital-пространстве!

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта. Согласен